电子能量损失谱（EELS）作为一种元素分析方法已经在透射电镜中被广泛使用。日立的SU9000既有扫描电镜的功能，同时又带有EELS和电子衍射等透射电镜的分析功能，很好的填补了透射电镜在低电压EELS和电子衍射方面的缺陷。(详细内容)

SU9000作为冷场发射扫描电镜，其本身具有很高的分辨率，同时采用内透镜的物镜设计使其具有与透射电镜相同的功能。由于SU9000的最高加速电压只有30kV，因此它可以实现低电压下高分辨晶格像的观察。(详细内容)

日立SU9000超高分辨冷场发射扫描电镜，达到扫描电镜世界最高二次电子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改进的真空系统和电子光学系统，不仅分辨率性能明显提升，而且作为一款冷场发射扫描电镜甚至不需要传统意义上的Flashing操作，可以高效率的快速获取样品超高分辨扫描电镜图像。(详细内容)

近些年随着碳纳米管及纳米材料研究的深入其广阔的应用前景也不断地展现出来。如可以制成透明导电的薄膜，用以代替ITO（氧化铟锡）作为触摸屏的材料。同时碳纳米管触摸屏还具有柔性、抗干扰、防水、耐敲击与刮擦等特性，可以制做出曲面的触摸屏，具有高度的潜力可应用于穿戴式装置、智慧家俱等产品。(详细内容)

对于多孔材料结构的表征SU9000带来完美的解决方案，由于介孔硅材料不导电，对加速电压很敏感，容易受到电子束的损伤，通常考虑降低加速电压进行显微观察，如上图利用减速模式下0.5kV的着陆电压可以清晰的看到介孔硅的孔径、孔壁及形态结构，并且达到最高800k的超高放大倍数，从而得到材料的真实形貌与理论相匹配。(详细内容)

日立SU9000采取了全新改进的真空系统和电子光学系统，不仅分辨率性能明显提升，而且作为一款冷场发射扫描电镜甚至不需要传统意义上的Flashing操作，可以高效率的快速获取样品超高分辨扫描电镜图像。SU9000超高分辨冷场发射扫描电镜，达到扫描电镜世界最高二次电子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm，并且STEM模式下可以实现明场相和暗场相的观察。(详细内容)

在半导体领域，日立电镜专利的E×B技术以及独特的信号控制系统，使得不论是S-4800、SU8000系列亦或是SU8200系列，都在半导体领域的图像观察方面有着无可比拟的优势。而SU9000借助其独特的物镜设计及优化的光学系统不仅成为了一款世界上分辨率最高的电镜，更是强化了日立电镜在半导体领域一贯的统治。(详细内容)

相较于传统的电镜，SU9000在做能谱分析时有着一些独特的优势。尤其是在stem条件下，样品普遍较薄，当样品厚度在纳米级别时，就避开了X射线出射范围较大这一负面因素，使得其不仅可在高倍下表征图像的形貌，而且同时也可以在高倍下表征样品的组成。(详细内容)

　2016年11月14日,日立高新技术有限公司和天美（控股）集团公司在泰国举行合作20周年庆祝仪式。这二十年的合作给两家公司带来了卓有成效的发展和珍贵的友谊。（详细内容）

　2016年11月17日，第七届中国FIB技术及学术交流研讨会在重庆开幕，本次大会持续到11月19日，会议由中国电子显微镜学会FIB专业委员会主办，由重庆大学承办，来自国内本领域的专家、学者及FIB相关设备厂商等100多人参加了此次会议。（详细内容）